Eintrag weiter verarbeiten
Pinning Effect on Fermi Level in 4H-SiC Schottky Diode Caused by 40-MeV Si Ions
Gespeichert in:
Personen und Körperschaften: | , , , |
---|---|
Titel: |
Pinning Effect on Fermi Level in 4H-SiC Schottky Diode Caused by 40-MeV Si Ions |
In: | IEEE Transactions on Nuclear Science, 66, 2019, 9, S. 2042-2047 |
veröffentlicht: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
|
Umfang: | 2042-2047 |
ISSN: |
0018-9499 1558-1578 |
DOI: | 10.1109/tns.2019.2929070 |
Format: | E-Article |
Quelle: | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) (CrossRef) |
Sprache: | Unbestimmt |